联发科:台积电3nm工艺生产的芯片已成功流片,预计2024年量产

  

  联发科与台积电联合宣布,联发科首款采用台积电3nm工艺生产的天玑旗舰芯片已成功流片,预计明年量产。据介绍,与5纳米工艺相比,台积电3纳米工艺技术的逻辑密度提高了约60%,相同功耗下速度提高了18%,或者说功耗是相同速度下减少了32%。联发科表示,首款采用台积电3nm工艺的天玑旗舰芯片将于2024年下半年上市。

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